微型发光二极管芯片及制作方法、及微型发光二极管器件

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微型发光二极管芯片及制作方法、及微型发光二极管器件
申请号:CN202510003550
申请日期:2025-01-02
公开号:CN119816013A
公开日期:2025-04-11
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种微型发光二极管芯片及制作方法、及微型发光二极管器件,该制作方法包括:提供包括多个台面结构的初始发光架构,每一台面结构包括第一半导体层;在初始发光架构的外表面形成第一钝化层,并在第一钝化层上形成多个沿厚度方向贯穿第一钝化层的第一通孔结构;在第一钝化层的外表面形成金属层,并使金属层的一部分设置于每一第一通孔结构内、并与第一半导体层连接并实现电连接;暴露出每一台面结构的电极区域,并得到微型发光二极管芯片。基于此,本申请的微型发光二极管芯片既能减少多个像素点之间的光串扰,又能扩展电流使微型发光二极管芯片发光更均匀。
技术关键词
微型发光二极管芯片 台面结构 通孔结构 微型发光二极管器件 半导体层 电极 驱动芯片 像素点 电流
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