微型发光二极管芯片及制作方法、及微型发光二极管器件

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微型发光二极管芯片及制作方法、及微型发光二极管器件
申请号:CN202510003551
申请日期:2025-01-02
公开号:CN119855311A
公开日期:2025-04-18
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种微型发光二极管芯片及制作方法、及微型发光二极管器件,该制作方法包括:提供包括多个台面结构的初始发光架构;每一台面结构包括侧壁和顶面,侧壁的至少两个区域与平行于顶面的平面形成不同的倾斜夹角;在初始发光架构的外表面形成第一钝化层;在第一钝化层的外表面形成金属层;暴露出每一台面结构的电极区域,并得到微型发光二极管芯片。基于此,本申请的金属层既能减少侧壁光串扰,又可以减少金属层内部产生的应力,提高了微型发光二极管芯片的可靠性。
技术关键词
微型发光二极管芯片 台面结构 通孔结构 微型发光二极管器件 半导体层 发光层 电极 衬底 驱动芯片 应力
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