半导体装置
申请号：CN202510015512
申请日期：2025-01-06
公开号：CN120376548A
公开日期：2025-07-25
类型：发明专利
摘要
本公开提供一种能够实现开关特性的最优化及高功率密度化的半导体装置。半导体装置(100)包括搭载在绝缘基板(10)上的多个半导体芯片(1、2、3)和收纳它们的壳体(20)。壳体(20)具有栅极端子(21)、源极感测端子(22)、源极端子(23)和漏极端子(24)。栅极端子(21)的高度和源极感测端子(22)的高度互不相同，源极端子(23)的高度低于栅极端子(21)的高度和源极感测端子(22)的高度。
技术关键词
半导体装置
半导体芯片
端子
栅极图案
导线
栅极电极
宽带隙半导体
壳体
绝缘
基板
开关
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