一种通过双靶盘进行离子注入工艺的方法

本发明公开一种通过双靶盘进行离子注入工艺的方法，属于半导体制造技术领域，其中扫描机器人的末端具有沿扫描方向并排设置的两个靶盘，其包括如下步骤：初始状态为扫描机器人上的两个靶盘均为平放且空载；然后两片晶圆被传输并分别放置在两个靶盘上；扫描机器人控制靶盘固持晶圆，然后进行翻转，使两个靶盘均竖起至工艺所需角度；对两个靶盘上的两个晶圆进行离子注入的扫描过程；完成工艺所需的离子注入后，扫描机器人回到初始状态的平放状态，等待其上的晶圆被取下。本发明节省了整个注入时间，可综合改善WPH约20％，并且对于晶格损伤会更低，晶圆温度会控制得更低；可以无需改变整个束流系统，工艺稳定、易于实施，具有极高的应用价值。