芯片结构及其制备方法

本申请实施例提供一种芯片结构及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供一衬底，衬底包括第一衬底、指示层及第二衬底；在衬底内形成多个导电柱，各导电柱贯穿第一衬底和指示层；在第一衬底上形成导电轨层，导电轨层包括多个导电轨，各导电轨与至少两个导电柱连接；在导电轨层上形成连接层和器件层，连接层包括设于导电轨层上且具有多个连接口的介质部及设于连接口内并与导电轨连接的导电部，器件层设于连接层上，器件层包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管的成型温度不大于预设温度；在器件层上形成第一互联层；在第二衬底内形成第二互联层，各薄膜晶体管经导电柱、导电轨、导电部及第一互联层与第二互联层连接。