半导体器件及其形成方法

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半导体器件及其形成方法
申请号:CN202510078017
申请日期:2025-01-17
公开号:CN120015738A
公开日期:2025-05-16
类型:发明专利
摘要
在实施例中,半导体器件可以包括中介层。半导体器件也可以包括直接接合至中介层的多个小芯片。器件可以进一步包括直接接合至与多个小芯片相邻的中介层的多个中介层管芯,多个中介层管芯具有衬底通孔。器件可以额外包括位于多个中介层管芯中的至少一个上方并且接合至多个中介层管芯中的至少一个的存储器封装件。本申请的实施例涉及半导体器件及其形成方法。
技术关键词
中介层 存储器封装件 半导体器件 集成电路管芯 互连结构 微凸块接合结构 金属化 芯片 动态随机存取存储器 衬底 通孔 电感器 电阻器 电容器 焊料 处理器
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