一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片

本发明提供一种红光LED芯片制备方法及红光LED芯片，该方法包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上生长包含DBR反射层的外延结构，以制备得到红光LED芯片；其中，DBR反射层包括多个层叠式设置的由第一AlGaAs层及第二AlGaAs层构成的复合层，第一AlGaAs层中的Al的组分占比小于Ga的组分占比，复合层的数量为25层‑28层。通过将常规红光LED中的22对DBR层提高至25层‑28层，从而提高外延的基础亮度，进一步通过控制DBR层中Al的组分占比使其小于Ga的组分占比形成第一AlGaAs层，配合层叠式设置的第二AlGaAs层，可以有效控制Al组分发生氧化，从而降低在后制程中的外延层氧化导致的暗裂，保证产品良率。