一种碲镉汞红外探测器芯片的电极引出方法

本发明涉及探测器芯片制备领域，特别是涉及一种碲镉汞红外探测器芯片的电极引出方法，通过在碲镉汞基体的表面生长钝化层；透过所述钝化层对所述碲镉汞基体进行离子注入，在所述碲镉汞基体的表面得到图形化的注入区；在经过离子注入的钝化层的表面设置硬掩膜；对所述硬掩膜进行光刻刻蚀，得到贯通所述硬掩膜的接触形貌孔；通过所述接触形貌孔对所述钝化层及所述碲镉汞基体进行刻蚀，得到电极接触孔；所述电极接触孔的底面暴露所述注入区；在所述电极接触孔内进行电极沉积，完成电极引出。本发明利用硬掩膜代替了相关技术中的光刻胶层作为刻蚀过程中的掩膜材料，避免了光刻胶残留导致孔内塞胶的问题，大大提升了电极与注入区的欧姆接触质量。