基于胶体纳米晶的PN结注入型硅基电光调制器及制备方法

本发明属于集成光电子技术领域，公开了一种基于胶体纳米晶的PN结注入型硅基电光调制器及制备方法，包括：波导包层；硅波导层，设置在波导包层上方；硅波导层的两端加工用于光信号的输入与输出的光耦合器；下电极层，与硅波导层连通；胶体纳米晶层，采用氧化物半导体胶体纳米晶制备，设置在硅波导层上方，并与硅波导层构成PN结；上电极层，设置在胶体纳米晶层上方。有效解决目前硅基电光调制器面临的调制效率低、加工繁琐、异质集成困难的问题，具有溶液制备加工衬底兼容性、可大规模集成、高调制效率、高调制深度及小尺寸等特点，有望推动硅基光电子芯片向高度集成方向发展。