一种功率半导体器件双面散热结构及其制备方法

本发明公开了一种功率半导体器件双面散热结构及其制备方法，双面散热结构包括：由下到上依次设置有一类热端基板10、第一导体层、一类冷端基板15、一类冷端基板第三线路层16、若干功率半导体芯片18、若干热界面材料30、二类冷端基板第六线路层29、若干二类冷端基板28、第二导体层、第三导体层和二类热端基板23，其中，第一热界面材料下表面通过铜夹21和一类冷端基板第三线路层16相连，所述第二导体层和第三导体层并列排布。本发明通过在功率芯片下表面直接集成冷端基板来避免热界面材料引起较大接触热阻的问题，同时也在功率芯片上表面集成冷端基板，实现功率芯片的双面高效散热。