一种多芯片并联半桥IGBT器件

本发明公开了一种多芯片并联半桥IGBT器件，包括基板，所述基板上并列设置第一陶瓷覆铜基板和第二陶瓷覆铜基板，第一陶瓷覆铜基板上设置上桥电路，第二陶瓷覆铜基板上设置下桥电路，上桥电路和下桥电路均包括多组并联连接的芯片，每组芯片包括一个IGBT芯片和一个FRD芯片。本发明能够提高器件内部空间的利用率。