超级结器件的制造方法

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种超级结器件的制造方法。超级结器件的制造方法包括以下步骤：提供半导体基底层，半导体基底层包括芯片区和隔离在芯片区之间的划片槽区，芯片区的半导体基底层中形成有沟槽栅，相邻的沟槽栅相间隔；在半导体基底层上依次形成氧化层、第一硬掩膜层和阻挡层；在芯片区和划片槽区位置处的阻挡层中形成注入窗口，注入窗口位于相邻的沟槽栅之间；对从注入窗口处外露的第一硬掩膜层进行刻蚀减薄形成第二硬掩膜层；进行离子注入，注入离子穿过注入窗口和第二硬掩膜层进入芯片区和划片槽区位置处的半导体基底层中形成超级结掺杂柱；通过湿法刻蚀去除阻挡层。