一种半导体外延层、微发光二极管芯片及其制造方法

本发明公开一种半导体外延层，其包括多层Gax I n1‑xP及GaP层，其中GaP层位于且接触所述多层Gax I n1‑xP的表面，且至少一些层的GaxI n1‑xP中x取值由下至上逐渐增大，且x为正数。通过引入GaXI n1‑XP组分渐变方式生长，替换原Al Ga I nP生长，缓解了材料间晶格常数带来的失配，进而有利于获取质量更好的GaP电流扩展层，有利于P面电流均匀拓展，从而获得优异的光电性能。