摘要
本公开涉及包括应力晶体管的电子芯片。本说明书涉及一种制造电子芯片的方法,包括以下连续步骤:提供位于覆盖半导体衬底的绝缘体上的半导体层;将半导体层的第一和第二部向下氧化到绝缘体,以在绝缘体上形成第一氧化部和第二氧化部;在半导体层的第一氧化部和第二氧化部不通过的第三部中生成应力,第三部在第二氧化部之间连续延伸;形成穿过第二氧化部和绝缘体至少向下延伸至半导体衬底的多个腔;以及在第三部、中和顶部上形成第一场效应晶体管。
技术关键词
电子芯片
绝缘体
效应晶体管
半导体衬底
双极晶体管
绝缘沟槽
半导体层
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绝缘栅极
表面氧化
受应力
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