包括应力晶体管的电子芯片

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包括应力晶体管的电子芯片
申请号:CN202510124047
申请日期:2025-01-26
公开号:CN120417417A
公开日期:2025-08-01
类型:发明专利
摘要
本公开涉及包括应力晶体管的电子芯片。本说明书涉及一种制造电子芯片的方法,包括以下连续步骤:提供位于覆盖半导体衬底的绝缘体上的半导体层;将半导体层的第一和第二部向下氧化到绝缘体,以在绝缘体上形成第一氧化部和第二氧化部;在半导体层的第一氧化部和第二氧化部不通过的第三部中生成应力,第三部在第二氧化部之间连续延伸;形成穿过第二氧化部和绝缘体至少向下延伸至半导体衬底的多个腔;以及在第三部、中和顶部上形成第一场效应晶体管。
技术关键词
电子芯片 绝缘体 效应晶体管 半导体衬底 双极晶体管 绝缘沟槽 半导体层 相变存储器单元 绝缘栅极 表面氧化 受应力 N沟道 外延 热处理
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