改善反向恢复特性的MOSFET及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善反向恢复特性的MOSFET及其制备方法、芯片，通过在源极层与所述控制栅多晶硅层之间设置第一二极管，在栅极层与所述控制栅多晶硅层之间设置位于第一二极管两侧的第二二极管，使得在器件反向导通的过程中，由源极提供高电位，与源极连接的二极管正常导通，连带器件的沟道打开，此时与栅极连接的二极管反偏，防止产生漏电流。并且，由于沟道处的压降更小，大部分电流从沟道处流过，而从P型基区与N型漂移区处的PN结经过的电流减小，使得PN结的少子存储变少，进而使得反向恢复电荷减少，从而实现了器件反向恢复特性的优化，降低器件在状态切换过程中的损耗。