一种基于高频热感应的Cu柱凸点直接键合方法及应用

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一种基于高频热感应的Cu柱凸点直接键合方法及应用
申请号:CN202510170981
申请日期:2025-02-17
公开号:CN120033095A
公开日期:2025-05-23
类型:发明专利
摘要
本发明属于集成电路封装领域,具体涉及一种基于高频热感应的Cu柱凸点直接键合方法及应用,适用于含有Cu柱凸点的芯片封装。本发明是利用高频电磁感应加热技术,使芯片上Cu柱凸点部位感应出涡流并被局部加热互连的。本方法克服现有的Cu柱凸点芯片无法承受整体高温加热封装的难题。本发明的有益效果是:键合工艺简单,不需要等离子体表面活化或额外的纳米化处理工艺;键合表面平整度要求低,由0.3nm左右降至微米级;键合速度快,几十秒内快速完成键合;键合质量高,孔洞等缺陷少,剪切强度可达60MPa以上。
技术关键词
键合方法 基片 高频感应加热系统 电子束 Ni合金薄膜 光刻胶 沉积方法 高频电磁感应 纳米级层状 芯片封装 高频感应线圈 感应加热线圈 阵列式结构 集成电路封装 氮化铝基板 铜柱凸点 种子层
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