光刻胶模型优化及构建方法和光刻模型构建方法

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光刻胶模型优化及构建方法和光刻模型构建方法
申请号:CN202510177635
申请日期:2025-02-18
公开号:CN119647405B
公开日期:2025-07-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种光刻胶模型优化及构建方法和光刻模型构建方法,光刻胶模型优化方法包括光刻胶阈值模型在完成迭代优化后,将迭代优化后得到的第一模型参数数据中的成像光强曲率的系数降低以得到第二模型参数数据,再次对第二模型参数数据进行迭代优化。与传统的仅进行一次迭代优化而建立的光刻胶阈值模型相比,通过本发明的方法得到的修正的光刻胶阈值模型能够在保持模型精度的前提下准确预测晶圆上回字形类型的特殊图形的漏光现象,避免出现模型过度修正的情况。同时在验证优化时仅需要回字形图形的数据,数据获取难度低。经验证,本发明的光刻胶阈值模型能够更精确地预测回字形图形代表的拐角多且密集程度较高的这类图形。
技术关键词
光刻胶模型 光刻模型 漏光现象 参数 光强 光刻胶成像 数据 曝光光学系统 平台 光罩 场景 拐角 处理器 代表 程序 精度
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