基于真空互联的有机分子半导体器件生长系统及方法

本发明公开了一种基于真空互联的有机分子半导体器件生长系统及方法，其中生长系统，包括具有超高真空环境的中转腔和若干具有可控加热装置的功能腔，每一功能腔中用于容纳若干生长源；真空装置，其连通到中转腔和/或功能腔；机械臂，至少用于将容纳有基底的样品台由中转腔转移至目标功能腔，以在工作状态下沉积对应材料的层结构。本发明通过优化多结构有机分子半导体器件的生长技术，有效改善了生长可控性，避免了交叉污染，从而改善了质量可控性。