一种多纳米线沟道铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法

本发明公开了一种多纳米线沟道铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体制造技术领域。本发明的多纳米线沟道铟镓锌氧薄膜晶体管包括：衬底和沟道层，沟道层的材质为铟镓锌氧；沟道层上沿横向方向依次设置源电极、顶栅介质层和漏电极，顶栅介质层上设置有顶栅电极；所述沟道层在其与源电极和漏电极接触区域之外的区域设置多条间隔设置的横向纳米线沟道，所述纳米线沟道的宽度为沟道层厚度的1～5倍，相邻两条纳米线沟道的间距为纳米线沟道宽度的1～3倍。本发明上述结构能够实现栅极对纳米线沟道的多面环绕，增强栅极对沟道的控制能力，有利于抑制短沟道效应，且等效迁移率高于单层连续沟道。