边缘AI算存芯片的多层堆叠封装方法及相关设备

本发明涉及一种边缘AI算存芯片的多层堆叠封装方法及相关设备，包括以下步骤：获取预设的边缘AI算存芯片的功能需求，并基于所述功能需求确定所述边缘AI算存芯片的芯片架构及所述芯片架构对应的顺序排列；通过深度反应离子刻蚀技术，对预设的晶圆进行TSV刻蚀，得到通孔阵列晶圆；对所述通孔阵列晶圆进行切割，得到独立切割芯片；并对所述独立切割芯片进行冷却通道构建，得到冷却功能芯片；基于所述芯片架构及所述芯片架构对应的顺序排列将所述冷却功能芯片进行多芯片集成和封装，得到边缘AI算存芯片；解决了堆叠的芯片彼此靠近，散热通道变长，导致芯片内部的热量难以散发，容易造成芯片过热的技术问题。