一种键合焊盘引出式Mos芯片结构及其封装方法

本发明公开了一种键合焊盘引出式Mos芯片结构及其封装方法，该工艺包括以下步骤：布线层电镀：在裸片包封后表面外露的源极和栅极连接端口上分别电镀布线层，将电性水平引出；A面电性引出：在源极的布线层上电镀连接柱，并包封研磨暴露出连接柱顶端，将源极电性引出到封装体A面；导电胶与包封料齐平外露，将裸片漏极电性引出到封装体B面，在B面上钻孔，直至暴露出栅极的布线层；在B面电镀金属覆盖导电胶，同时孔内壁电镀与布线层连接，将栅极电性引出到封装体B面，在A面电镀金属覆盖连接柱，本发明将位于裸片正面的栅极电性引出到裸片背面并引出到封装体外，源极引脚和栅极引脚可正常贴装，封装结构的散热效果好。