多层VCSEL芯片的制备方法

本申请公开了多层VCSEL芯片的制备方法，制备方法包括：对单晶硅基底进行电子束光刻处理，得到具有预定纳米图案化结构的基底；向基底表面通入氨基硅烷气体源，得到覆盖有单分子层的基底；对覆盖有单分子层的基底依次沉积铝氧化物材料和氮化硅材料，得到高反射率的光子晶体层；基于激光脉冲技术将半导体材料蒸发并凝结到光子晶体层上，形成具有预定厚度的量子阱层；在氮气环境下，将量子阱层中的材料原子按照预定的晶格排列进行重组，得到优化量子阱层；对优化量子阱层上沉积金属电极形成电接触层，得到多层VCSEL芯片。本申请提升了VCSEL芯片的性能和生产可控性，解决了现有技术中存在的晶体缺陷、表面粗糙度和应力不匹配等问题，具有显著的技术优势。