单晶金刚石及其制备方法、芯片

本申请公开了一种单晶金刚石及其制备方法、芯片，涉及半导体技术领域，单晶金刚石的制备方法包括对第一金刚石衬底的拼接侧面和第二金刚石衬底的拼接侧面进行切割，使第一金刚石衬底的拼接侧面和第二金刚石衬底的拼接侧面均为锯齿状。将第一金刚石衬底的锯齿状的拼接侧面，与第二金刚石衬底的锯齿状的拼接侧面拼接，形成金刚石基底。在金刚石基底上形成外延层。旨在使(110)晶面的拼接侧面的单晶金刚石实现无缝拼接。上述单晶金刚石可用作半导体器件的衬底。