光刻成像仿真方法、装置、存储介质及电子设备

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光刻成像仿真方法、装置、存储介质及电子设备
申请号:CN202510281739
申请日期:2025-03-11
公开号:CN119781258B
公开日期:2025-07-01
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种光刻成像仿真方法、装置、存储介质及电子设备,其中,该光刻成像仿真方法包括获取晶片的第一仿真区域;基于晶片的表面形貌特性,将仿真区域分解为若干第一子区域;从电场查找表中提取第一子区域的第一电场信息;对若干第一电场信息进行电场叠加处理和去冗余处理,得到第一仿真区域的第二电场信息;基于光学系统参数和第二电场信息,计算目标掩模图形的光学成像结果。本方案可以提高光刻成像仿真的效率。
技术关键词
成像仿真方法 表面形貌特性 光学系统参数 光刻 掩模图形 光学成像 查找表 冗余 生成电场 电子设备 仿真装置 处理器 存储器 指令 算法
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