摘要
本申请公开了一种光刻成像仿真方法、装置、存储介质及电子设备,其中,该光刻成像仿真方法包括获取晶片的第一仿真区域;基于晶片的表面形貌特性,将仿真区域分解为若干第一子区域;从电场查找表中提取第一子区域的第一电场信息;对若干第一电场信息进行电场叠加处理和去冗余处理,得到第一仿真区域的第二电场信息;基于光学系统参数和第二电场信息,计算目标掩模图形的光学成像结果。本方案可以提高光刻成像仿真的效率。
技术关键词
成像仿真方法
表面形貌特性
光学系统参数
光刻
掩模图形
光学成像
查找表
冗余
生成电场
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