一种III-V族半导体绿光激光器芯片元件

本发明公开了一种III‑V族半导体绿光激光器芯片元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述上波导层与上限制层之间具有磁性隧道结层，所述磁性隧道结层包括第一磁性隧道结层、第二磁性隧道结层和第三磁性隧道结层。本发明通过特定结构组成、特定的饱和电子漂移速率分布、特定热膨胀系数分布形成正交结构调控磁化强度相对取向，增强界面自旋极化隧穿电流，电场驱动净纵向自旋极化隧穿电流沿簇磁八极极化方向输运，提升电子和空穴的输运效率，提升激射均匀性和增益均匀性。