摘要
本发明公开了一种银钨电接触材料,属于银钨电接触材料技术领域。本发明以高熔点、高比重的W层作为基低,高导热、高导电、相对低比重的Ag层作为沉积层,Ni、Cr、B、Fe、W作为增强元素,采用组合芯片电子束蒸发技术制备Ag/W复合材料,并通过适当的热处理工艺,最终获得扩散界面结合良好的层状复合材料,实现银钨电接触材料的短流程制备,为银钨电接触材料的制备提供了新方法。所制备的银钨电接触材料具有致密度高、微观组织均匀、界面结合强度高、导电导热性好、硬度高、耐磨损、无毒等特点,可应用于照明开关、断路器、接触器等电器领域。
技术关键词
银钨电接触材料
银合金材料
电子束蒸发技术
层状复合材料
组合芯片
热处理工艺
照明开关
高比重
低比重
高导电
高导热
元素
接触器
断路器
界面
基片
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