一种发光二极管芯片及其制备方法

本发明提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管芯片包括自下而上层叠设置的导电硅片、金属键合层、N型导电金属层、第一绝缘保护层、P型导电金属层、P型反射金属层、电流阻挡层、电流扩展层、外延层，P型导电金属层的边缘在电流扩展层上的投影位于隔离槽在电流扩展层上的投影内，且P型导电金属层的边缘在电流扩展层上的投影至隔离槽的边缘在电流扩展层上的投影之间的距离与隔离槽的宽度的比例为1/3~2/3；通过电流扩展层上设置隔离槽和切割墙，P型导电金属层的边缘与隔离槽的距离比例关系，有助于控制电流在发光二极管芯片内的分布，避免电流过度集中，电流更均匀地扩展到外延层，提高了发光二极管芯片的整体发光效率和稳定性。