一种折中正向和反向特性的RC-IGBT器件及其制备方法

本发明提供一种折中正向和反向特性的RC‑IGBT器件及其制备方法，涉及功率半导体技术领域，包括：集成于同一芯片上的IGBT元胞区、FRD元胞区及终端区，FRD元胞区位于IGBT元胞区的一侧，终端区位于IGBT元胞区和FRD元胞区的外围；IGBT元胞区内的远离FRD元胞区的一侧设有IGBT栅极PAD区。有益效果是FRD元胞区设置在IGBT元胞区的一侧，版图更易设计；两者独立设计，可通过调节IGBT元胞区来降低正向导通压降，还可通过FRD元胞区的正面设计和局部寿命控制来降低反向导通压降和反向恢复时间，从而折中正向特性和反向特性；两者共用终端区，不会增大芯片面积。