一种半导体芯片

本申请涉及一种半导体芯片，包含：由第一导电型的碳化硅形成的碳化硅基板，由第一导电型的碳化硅形成的漂移层，在漂移层上设置有源区域，在俯视来看，第二导电型半导体与第一主面侧电极被布置于该区域，以及围绕有源区域以防止耐压劣化的终端区域，此外，耐压结构的外周以及半导体芯片的端部在俯视来看均为六边形，耐压结构外周的六边形角部呈圆角形状，第二导电型半导体在俯视图中形成条状结构，并且这些条状结构的方向至少布置在两个不同方向上，其相互之间夹角为60°的倍数，如此，可以提高碳化硅半导体芯片的可靠性。