基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法

本发明公开了基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法，包括基板，所述基板的内部嵌入式安装有吸波层，所述基板上安装有铜线层，所述铜线层上喷涂有热过度层；所述热过渡层上安装有GaN芯片，所述GaN芯片的栅极区上垂直阵列有碳纳米管，所述碳纳米管上连接有驱动芯片的输出端。高频性能突破：寄生电感降低95％以上，热可靠性提升：CTE失配问题彻底解决，高频噪声抑制：宽频段屏蔽效能提升10倍。