一种高强度纳米级芯片封装材料制备方法

本发明公开了一种高强度纳米级芯片封装材料制备方法，涉及封装材料技术领域。该材料由表层、底层和中间配方层组成，采用特定的导电母料、ABS、PS、导电炭黑、改性尼龙及相关助剂，通过配料、投料、搅拌、挤出、压辊、分切和收卷的工艺制备而成。其力学性能优越，具有高拉伸强度、良好的伸长率、稳定的光泽度、低含水率。本发明材料可广泛应用于芯片封装领域，具备优异的电导性、机械稳定性和环保特性。