一种发光二极管芯片及其制备方法

本发明提供一种发光二极管芯片及其制备方法，该芯片包括衬底、及沉积于衬底上的外延层，衬底靠近外延层的一面制备有氮气释放图形，氮气释放图形包括位于衬底中心处的第一子图形、及沿第一子图形周向设置的子图形群，子图形群由多个第二子图形环形间隔组成，子图形群有多组，多组子图形群周向间隔设置，多个子图形群中的第二子图形的投影面积由内至外依次线性减小，多个子图形群中的第二子图形中心之间的投影距离由内至外依次线性增加。本发明在衬底靠近外延层的一面制备氮气释放图形，在剥离过程中，外围已经剥离的蓝宝石衬底在内应力的作用下向上翘起为氮气的释放打开通道，避免了激光剥离工艺过程中氮气释放不及时而炸伤GaN外延层的问题。