一种片式多层交瓷介电容加工的精准定位方法及系统

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一种片式多层交瓷介电容加工的精准定位方法及系统
申请号:CN202510449964
申请日期:2025-04-11
公开号:CN120453062A
公开日期:2025-08-08
类型:发明专利
摘要
本发明涉及电子元器件制造技术领域,公开了一种片式多层交瓷介电容加工的精准定位方法及系统,所述方法包括:通过综合获取材料特性数据、工艺环境数据和工艺实时状态数据,进行动态定位计算,以确定动态定位基准参数。基于该基准参数,执行校正补偿计算,得到电极图案位置补偿参数,并据此进行动态调整,以获得初步电极图案坐标。随后,对初步坐标进行误差计算,获取坐标误差值。当误差值低于预设误差阈值时,直接输出初步电极图案坐标作为精确坐标;若误差值超出预设误差阈值,则采用粒子群优化算法进行优化调整,使坐标趋近目标位置,直至满足精度要求后输出精确电极图案坐标。所述方法能够实现动态实时精准定位。
技术关键词
精准定位方法 材料特性数据 坐标 图案 粒子群优化算法 电极 基板变形量 动态 参数 基准 误差 电容 精准定位系统 可读存储介质 校正 数据获取模块 计算机 电子元器件
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