一种功率芯片的预封装方法、芯片及电子设备

本申请公开了一种功率芯片的预封装方法，包括如下步骤：步骤1：在铜块的凹槽中涂覆第一烧结层，并将芯片贴在所述第一烧结层上；步骤2：在铜箔表面涂覆第二烧结层，并将铜箔贴在所述芯片表面；步骤3：将铜块、芯片以及铜箔烧结结合；步骤4：后续处理后，完成功率芯片的预封装。铜箔形成的铜层与芯片表面不是直接接触，从而减缓了由于CTE不匹配所造成的应力，增加了芯片的鲁棒性；铜箔形成的铜层与芯片表面不直接接触，消除了电迁移的影响；采用一次烧结即可得到产品，简化了生产工艺；铜箔形成的铜层的厚度远远大于镀铜，在嵌入式PCB加工时被激光超量照射也也有足有的裕量保证铜层存在。大大提高了功率芯片的可靠性。