一种集成金刚石散热层的IGBT芯片及其制备方法

本申请属于半导体芯片散热领域，具体公开了一种集成金刚石散热层的IGBT芯片及其制备方法。本申请将高导热材料金刚石直接嵌入集电极金属，金刚石散热层更贴近芯片，传热路径更短，进一步提高芯片散热效率；本申请将金刚石散热层和IGBT芯片集电极金属紧密结合，从而降低了总热阻；由于散热路径短、热阻低，因此，暂态响应快。本申请还提供了金刚石散热层的布局方式，确保散热均匀性，同时降低制备难度。在制备工艺上，本申请通过高温沉积、激光加工镶嵌或者低温键合实现，以确保金刚石散热层与IGBT芯片的紧密结合，减少界面热阻，提高热量传递效率。