一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法

本发明公开了一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法，包括N‑型硅衬底，所述N‑型硅衬底上端设置有P型短基区组，所述P型短基区组外侧设置有P型场环组，所述P型短基区组内侧设置有N+型发射区组；本发明采用横向结构的双向可控硅，无需穿通环结构，可以大幅提高生产效率，且第一P型场环和第二P型场环深度只需35~40μm即可实现1000V的阻断电压，并且漏电更低，第一N+型发射区、第二N+型发射区和第三N+型发射区使电流密度分布更加均匀，可以承受更高的di/dt，温升更低，并且第一P型短基区和第二P型短基区区间距远，第一P型短基区和第二P型短基区区间大于250μm，寄生电容小，dv/dt高。