垂直GAN装置

本公开涉及垂直GAN装置。一种芯片封装包括第一板形金属载体结构、第二板形金属载体结构和第三板形金属载体结构。芯片封装还包括：第一GaN芯片，被夹在第一金属载体结构和第二金属载体结构之间；和第二GaN芯片，被夹在第二金属载体结构和第三金属载体结构之间。芯片封装被配置为在板形金属载体结构和GaN芯片相对于应用板倾斜的方位被附接到应用板，特别地在板形金属载体结构和GaN芯片相对于应用板垂直的方位被附接到应用板。