一种碳化硅晶片多线切割脱胶取片方法

本发明公开了一种碳化硅晶片多线切割脱胶取片方法，属于半导体材料加工技术领域。所述方法包括：采用氮化硼掺杂石墨条(BN浓度1‑3％)作为粘接载体，其表面设有类金刚石镀层(DLC，厚度50‑100nm)，通过多线切割(切入石墨条4.5mm)后，将切割料板浸入含聚乙二醇(PEG，分子量≥1000)的90℃恒温去离子水中超声脱胶20分钟，最后以0.8mm/s速度垂直抽离晶片(角度误差≤1°)。与传统方法相比，脱胶时间从120分钟缩短至20分钟，崩边率由5％降至0.3％，晶片良率提升至99.1％。通过石墨条结构优化(凹槽设计、DLC镀层)与工艺参数协同控制(温度±1℃、夹持力8N±1N)，解决了胶水软化不均、晶片损伤等技术难题，适用于4H/6H晶型碳化硅晶片的大批量生产。