一种用于光电芯片封装的超高真空共晶炉及封装方法

本发明涉及真空工程领域，更具体的是涉及一种用于光电芯片封装的超高真空共晶炉及封装方法。包括：加热炉体，设置有真空腔体；真空系统，由前级机械泵和主抽分子泵构成的双级真空单元，用于为真空腔体提供超高真空环境；加热系统，设置于真空腔体中，加热系统包括多层组装式加热板，加热板集成加热元件、冷却通道及工位定位结构，其中加热元件嵌入加热板内部并通过分路控制模块实现分区控温；隔热装置，围绕加热系统设置多层反射隔热结构，反射隔热结构包含反射层及外部水冷板；还原性气氛供应单元，通过多路气体管道与真空腔体连通，配备质量流量控制器。本申请实现高真空环境下高效、安全、智能化的芯片封装。