通过晶圆级工艺实现多计算芯片大尺寸高密度互连的方法

本发明属于集成电路封装技术领域，特别涉及一种通过晶圆级工艺实现多计算芯片大尺寸高密度互连的方法。包括：在晶圆上旋涂临时键合胶；通过步进式光刻机完成正面再布线；布线层完成后，倒装电容、电阻、树脂通孔或硅通孔；使用树脂料进行塑封；对树脂料进行减薄，露出通孔；通过接触式曝光机完背面布线，实现多视场互连；在布线层表面键合聚酰亚胺薄膜；去除键合胶，分离玻璃晶圆；在单个视场的金属焊盘上贴装芯粒；使用树脂料进行塑封；去除聚酰亚胺薄膜，露出焊盘；完成植球并划片。通过步进式光刻机在玻璃晶圆上完成超高密度布线，满足智能计算芯片中计算与存储颗粒的超高带宽互连，解决了基板材料无法实现极细线宽线距再布线的难题。