掩膜版图形边缘补偿修正方法、系统、介质及计算机设备

本发明涉及半导体制造技术领域，具体提供了一种掩膜版图形边缘补偿修正方法，包括步骤：构建训练数据集；基于训练数据集对深度学习模型进行训练；获取目标掩膜版设计图形，基于历史缺陷数据库和/或光刻成像模型的光学邻近效应修正模拟，确定目标掩膜版设计图形的断路位置坐标集合；将目标掩膜版设计图形及其断路位置坐标集合、光刻机型号参数、光学模型物理约束参数分别输入断路分析模型，输出目标掩膜版设计图形的断路概率分布图及图形边缘修正规则；将目标掩膜版设计图形、断路概率分布图及图形边缘修正规则输入光刻成像模型，生成修正后的掩膜版设计图形。该方法突破传统修正的局限，显著提升掩膜版修正精度，降低芯片生产中的断路风险。