一种高功率半导体封装及其制备方法

本发明公开了一种高功率半导体封装及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，高功率半导体封装包括：设置有第一布线层的封装基板、设置有第二布线层的陶瓷基座以及电性连接在第二布线层上的若干个芯片；陶瓷基座嵌合在封装基板内，且陶瓷基座基于第三布线层与封装基板电性连接；封装基板设置有槽口结构，且槽口结构的边框位置设置有第一电性通道，槽口结构的内部区域设置有第二电性通道。封装基板设置有第一高度的第一电性通道以及第二高度的第二电性通道。放置在陶瓷基座上的至少一个芯片顶部通过金属连接部件与第一电性通道进行连接。通过镶嵌有布线陶瓷基座层的封装基板，提升封装体内部载流能力，降低器件的工作温度，延长器件的工作寿命。