一种新型集成电路解键合工艺

本发明公开了一种新型集成电路解键合工艺，属于集成电路技术领域。包括：准备玻璃基板；于所述玻璃基板上设置LAL层；于所述LAL层上涂布介质形成介质层；于所述介质层上构建RDL层；于所述RDL层上倒装焊接芯片；于所述芯片外部使用塑封材料进行塑封，形成塑封层；将所述RDL层和塑封层从介质层上剥离；于所述RDL层底部焊接锡球，得到封装产品。本发明在玻璃基板上采用溅镀TiW的方式制作LAL层，剥离过程中LAL层能够吸收激光能量成为局部热源，可以省略原有制程中剥离后去除RL残胶及金属层的步骤，缩短了制程流程，介质层起到防止两者接合的作用，其膜厚小于0.3um，在剥离时介质层能够完全碳化，不会对后续工艺产生影响，LAL层可重复利用至少15次，降低了成本。