一种高散热集成电路封装工艺

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一种高散热集成电路封装工艺
申请号:CN202510648685
申请日期:2025-05-20
公开号:CN120527303A
公开日期:2025-08-22
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种高散热集成电路封装工艺,包括产品;所述产品包括基板,所述基板上方设置有芯片,所述有芯片上方设置塑封体,在设置塑封体后,通过切割刀一对产品的塑封体表面进行第一次切割,在塑封体表面形成部分切割槽,所述塑封体上方和部分切割槽上方设置金属层,通过切割刀二在基板表面沿着部分切割槽方向对产品进行第二次切割,所述第二次切割的切割路径的深度方向与所述第一次切割的切割路径的深度方向相切或相交且相交时不可切穿产品,所述切割刀二的宽度大于切割刀一的宽度。本发明属于高散热集成电路封装工艺领域,具体是指一种高散热集成电路封装工艺;本发明通过对传统的芯片散热,通常使用水溶液电镀方式,在芯片表面镀上一层铜用于散热,此水溶液电镀方式,流程工艺复杂,且工艺环保性差,产生的废水对环境污染严重的问题,现导入真空溅镀方式,替代原有的水溶液电镀方式,不仅环保,且工艺流程简单,为一种有效且合理的替代方案。
技术关键词
高散热集成电路 封装工艺 切割刀 电镀方式 防氧化层 芯片 溅镀工艺 基板 真空溅镀 不锈钢 散热层 中间层 纳米
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