封装结构及其形成方法

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封装结构及其形成方法
申请号:CN202510665904
申请日期:2025-05-22
公开号:CN120581437A
公开日期:2025-09-02
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种封装结构及其形成方法,该形成方法包括:提供第一晶圆,第一晶圆包括相对的第一键合面和第一背面,第一晶圆包括多个第一晶粒;刻蚀部分第一键合面,在部分数量的第一晶粒上形成凹槽;提供第二晶圆,第二晶圆包括相对的第二键合面和第二背面,第二晶圆包括多个第二晶粒,第二晶粒的尺寸大于第一晶粒的尺寸;将第一晶圆的第一键合面与第二晶圆的第二键合面键合,使得一部分第一晶粒与对应的第二晶粒键合,而另一部分第一晶粒由于凹槽的存在不会与对应的第二晶粒键合;对键合后的第一晶圆和第二晶圆进行分割,形成多个分立的芯片堆叠结构,同时得到分离的若干第一晶粒。实现不同尺寸的晶粒的晶圆键合,提高了制作效率。
技术关键词
封装结构 晶圆 芯片堆叠结构 尺寸 金属材料 阳极键合工艺 凹槽 载板 UV光 焊料 介质 层材料 氧化硅 碳化硅 合金
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