一种功率半导体模块封装架构、设计及制备方法

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一种功率半导体模块封装架构、设计及制备方法
申请号:CN202510667231
申请日期:2025-05-22
公开号:CN120473447A
公开日期:2025-08-12
类型:发明专利
摘要
本发明属于半导体技术领域,公开了一种功率半导体模块封装架构、设计及制备方法,自下而上包括:第一散热器底板;第一覆铜陶瓷基板;功率半导体芯片通过焊料层实现上下表面互联;碳增强金属基复合材料垫块通过焊料层与芯片上表面键合;第二覆铜陶瓷基板;第二散热器底板;本发明较传统材料提升30%以上,可显著降低热阻,提升散热性能。金刚石/铝、金刚石/银、石墨烯/银和石墨烯/铜的热膨胀系数与功率半导体芯片更为匹配,因此所提封装架构可将界面热应力降低35%以上,降低发生热循环导致界面分层的可能性,从而大幅提高双面冷却功率半导体器件的可靠性。本发明的创新方案有效解决了传统双面冷却封装中的热‑力失配难题。
技术关键词
覆铜陶瓷基板 功率半导体芯片 功率半导体模块 散热器底板 金属基复合材料 冷却功率半导体器件 垫块 路径设计方法 金刚石 石墨烯 上印刷 增韧氧化铝 铜复合材料 纳米银膏 材料提升 无铅焊料 烧结工艺 灌封胶 氮化镓
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