一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构

本发明涉及IGBT芯片技术领域，且公开了一种沟槽型IGBT芯片有源区边缘结构，包括衬底体，衬底体的表面开设有多组有源区沟槽和虚拟区沟槽，多组虚拟区沟槽分别位于相邻的有源区沟槽之间，衬底体靠近有源区沟槽的附近设置有冗余区沟槽，本发明中，借助连接组件，能够迅速将电流传输路径切换至冗余区多晶硅，冗余区多晶硅就如同备用的导电通道一般，及时接替失效的有源区多晶硅，继续维持芯片的正常工作，这种设计极大地增强了芯片的容错能力，有效降低了因个别有源区多晶硅失效而导致整个芯片无法正常运行的风险，从而显著提升了芯片的可靠性和稳定性，为其在各种复杂工作环境下的高效运行提供了有力保障。