一种具有电磁屏蔽层的扇出型半导体封装结构及封装方法

本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种具有电磁屏蔽层的扇出型半导体封装结构。包括芯片，所述的芯片一端表面连接重布线层，芯片其余表面均覆盖电磁屏蔽层，电磁屏蔽层外侧设有塑封层，重布线层另一侧通过UBM层连接凸点。同现有技术相比，在扇出型封装过程中引入溅射电磁屏蔽层的方式来实现各芯片之间的电磁相互干扰，结构简单，工艺成本低，在芯片表面形成电磁屏蔽层，减小封装厚度。