一种超薄多层存储芯片堆叠封装方法及系统

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一种超薄多层存储芯片堆叠封装方法及系统
申请号:CN202411822095
申请日期:2024-12-11
公开号:CN119742237B
公开日期:2025-11-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片封装技术领域,揭露了一种超薄多层存储芯片堆叠封装方法,包括:获取待封装存储芯片,对待封装存储芯片进行芯片品质划分,得到目标芯片,对目标芯片进行细分类,得到多组芯片;对多组划分芯片进行厚度优化,得到厚度优化芯片,对厚度优化芯片进行芯片精选,得到精选芯片;对精选芯片进行材料涂覆,得到涂覆芯片,对涂覆芯片进行芯片固化,得到固化芯片,对固化芯片进行芯片堆叠,得到堆叠芯片;对堆叠芯片进行三维建模,以对堆叠芯片进行点胶路径规划,得到点胶路径,对堆叠芯片进行芯片加固,得到加固芯片;对加固芯片进行内部互连、初步封装及外壳注塑,得到封装芯片。本发明可以提高超薄多层存储芯片封装质量。
技术关键词
封装存储芯片 堆叠芯片 堆叠封装方法 点胶路径 封装芯片 中间层 老化测试环境 芯片堆叠 堆叠结构 涂覆 规划 图像 启发式信息 厚度传感器 关键点 特征点 缺陷轮廓 瑕疵
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