一种运用于芯片制造前端设备用超高纯316L-VV金属材料

本发明涉及金属材料领域，本发明公开了一种运用于芯片制造前端设备用超高纯316L‑VV金属材料，包括以下按照质量百分比(wt％)计算的组分：17.4‑18wt％Cr、13.4‑13.8wt％N i、2.5‑2.8wt％Mo、0.005‑0.015wt％N、0‑0.015wt％C、0‑0.15wt％S i、0‑0.4wt％Mn、0‑0.015wt％P、0‑0.01wt％S，余量为铁，以及不可避免的杂质，微量元素成分如下：Cu≤0.1wt％、T i≤0.01wt％、Nb≤0.05wt％、Al≤0.015wt％、Ca≤0.005wt％、Se≤0.003wt％、H≤0.0002wt％、O≤0.001wt％，本发明运用全新VI M+VAR(或VI M+ESR+VAR)生产工艺，确保材料的超高纯净度。保证后续用于特殊气体管道，阀门，接头等应用场景中可以符合工况要求。